Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2012
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: TUBA TEKLE
Danışman: Bekir Gürbulak
Özet:
Nano ve optoelektronik
teknolojinin ilerlemesinde yarıiletkenlerin önemi giderek artmaktadır. Ancak,
kullanılacak yarıiletkenlerin hem kolay elde edilebilir hem de uygulama alanın
geniş olması daha da önem arz etmektedir. Bu maksatla, uygulama alanlarının çok
olduğu ve karakteristiklerinin tam olarak belirlendiği yarıiletkenlere ihtiyaç
duyulmaktadır. Elde edilen bütün sonuçlar analiz edilerek nano ve
optoelektronik teknolojisi için önemli olan bu kristallerin karakteristikleri
detaylı olarak araştırılacaktır. InSe ve InSe:Zn ikili yarıiletken bileşikleri,
bölümümüz kristal büyütme laboratuvarında, Bridgman-Stockbarger metodu ile
büyütüldü. Numunelerin, yapısal ve morfolojik karakterizasyonları X-ışını
kırınımı (XRD), taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve Enerji ayrımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) teknikleri
kullanılarak gerçekleştirildi. XRD
sonuçları, büyütülen numunelerin hekzagonal kristal yapıya sahip olduklarını ve
Zn katkılamanın pik şiddetlerini artırdığını gösterdi. XRD sonuçları
kullanılarak, örgü parametreleri
InSe için a =b= 4.002 Å, c = 17.160 Å ve ve InSe:Zn (0012) için ise a=b=5.845 Å ve c=16,788 Å olarak hesaplandı. SEM
sonuçlarından, ortalama tanecik büyüklüğünün sırasıyla, InSe için 42-155 nm ve
InSe:Zn için 50-125 nm aralığında olduğu gözlendi. EDX sonuçları, In ve Se elementlerinin ağırlıkça %57.04 ve
%38.46 olarak yapıda yer aldığını gösterdi. In ve Se miktarlarının büyütmenin
hemen başlangıcında hesaplanan stokiyometrik değerlere oldukça yakın olduğu
gözlendi.