Characteristic of Au/Graphene/p-Si/Al Schottky Diode Depend on Annealing Temperature
4th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCES IN NATURAL & APPLIED SCIENCES (ICANAS 2019), Ağrı, Türkiye, 19 - 22 Haziran 2019, ss.7, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Basıldığı Şehir: Ağrı
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Sayfa Sayıları: ss.7
- Atatürk Üniversitesi Adresli: Evet