Bazı metal ve alaşım/n-Si/Ti Schottky diyotlarının elektriksel karakteristikleri üzerine numune sıcaklığının etkileri

Tez Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik, Türkiye

Tez Danışmanı: Betül Güzeldir

Tezin Onay Tarihi: 2018

Tezin Dili: Türkçe

Özet:

Yüksek lisans tezi olarak sunulan bu çalışmada Ag, Cu metalleri, ikili (AgCu) ve üçlü (AuCuAg) alaşımlar kullanılarak elde edilen Schottky diyotların elektriksel karakteristikleri incelendi. Taban malzeme olarak (100) yönelimli ve 400 nm kalınlıklı n-tipi Si altlıklar kullanıldı. Omik kontak, Si kristalinin mat yüzeyine Titanyum metali buharlaştırılarak elde edildi. Diğer taraftan, Schottky kontak ise laboratuvarda Ag ve Cu metalleriyle ağırlıkça aynı oranlarda hazırlanan AgCu ve AuCuAg alaşımlarının Si kristalin parlak yüzeylerine buharlaştırılmasıyla elde edildi. İlk aşamada, metal/yarıiletken ve alaşım/yarıiletken diyotların oda sıcaklığında ve karanlıkta akım-voltaj (I-V) karakteristikleri incelendi. Daha sonra bu yapıların değişen numune sıcaklığına bağlı olarak (80K-300K) I-V karakteristikleri araştırıldı. Schottky diyotların idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri Termiyonik emisyon ve Norde metotları ile hesaplandı. Engel yüksekliğinin azalan numune sıcaklığı ile azalmasına karşı idealite faktörü değerlerinin artması engelin inhomojenliği modeli ile açıklandı.