Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tez Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye
Tez Danışmanı: Prof. Dr. Şakir Aydoğan
Tezin Onay Tarihi: 2024
Tezin Dili: Türkçe
Özet:
Amaç: Bu çalışmada,
elektrokimyasal yöntemle elde edilen ince MoS2 filminin p-Si üzerine
kaplanması, elde edilen heteroeklemde MoS2 filmin farklı tavlama
sıcaklığı ve sürelerin aygıt performansına etkisi amaçlanmıştır.
Yöntem: Bu çalışmada, değişen elektrokimyasal biriktirme süreleriyle elde edilen
MoS2 ince filmleri farklı sıcaklıklarda tavlanmıştır.
Elde edilen yapılar SEM
(Taramalı Elektron Mikroskopu), XRD (X-ışını Kırınımı) ve UV-VIS-NIR
Spektrometresi ile analiz edilmiştir. Aygıt parametreleri karanlıkta ve ışıkta
alınan I-V (akım-gerilim) ölçümleriyle belirlenmiştir. 10 mW/cm2’den
150 mW/cm2’ye kadar değişen güce sahip görünür ışık ve 8 mW/cm2
güce sahip UV ve IR ışık kaynakları ile fotodedektör parametreleri
belirlenmiştir.
Bulgular: Yapılan
analiz ve ölçümler sonucunda, en iyi aygıt performansı 60 dk biriktirme süreli
ve 4000C tavlama sıcaklığında elde edilmiştir. Artan görünür ışık şiddeti
ile fototepkinin arttığı görülmüştür. Ayrıca aygıtların UV-IR bölgede de ışığa
karşı duyarlılığının olduğu tespit edilmiştir.
Sonuç: Elektrokimyasal
biriktirme yöntemiyle elde edilen MoS2 ince film tabanlı görünür-UV-IR
ışık kaynakları altında çalışabilen yüksek duyarlılığa ve kararlılığa sahip
fotodedektörler elde edilmiştir.