Pulse-controlled growth and interface-regulated transport in PED-grown TiO2 thin-film transistors with LaAlO3 gate dielectric
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, cilt.37, sa.2088, ss.1-21, 2026 (Hakemli Dergi)
- Yayın Türü: Makale / Tam Makale
- Cilt numarası: 37 Sayı: 2088
- Basım Tarihi: 2026
- Doi Numarası: 10.1007/s10854-026-18499-9
- Dergi Adı: Journal of Materials Science: Materials in Electronics
- Sayfa Sayıları: ss.1-21
- Atatürk Üniversitesi Adresli: Evet