Electrical transport properties of p-GaTe grown by directional freezing method
Semiconductor Science and Technology, cilt.19, sa.3, ss.523-530, 2004 (SCI-Expanded, Scopus)
- Yayın Türü: Makale / Tam Makale
- Cilt numarası: 19 Sayı: 3
- Basım Tarihi: 2004
- Doi Numarası: 10.1088/0268-1242/19/3/043
- Dergi Adı: Semiconductor Science and Technology
- Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
- Sayfa Sayıları: ss.523-530
- Atatürk Üniversitesi Adresli: Evet