In2S3, CdS ve In1-xCdxS yarı iletken ince filmlerinin Sılar Metodu ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2007
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: MUTLU KUNDAKÇI
Danışman: Muhammet Yıldırım
Özet:In2S3, III-VI gurubu bir yarıiletken malzemedir. Geniş yasak enerji aralığına sahip olduğundan dolayı optoelektronikte ve fotovoltaik aygıt üretiminde oldukça önemlidir. CdS, II-VI gurubu bir yarıiletkendir ve özellikle elektronik aygıtlarda ve güneş pillerinde kullanılmaktadır. Büyütme metotları arasında SILAR (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction) daha ucuz, daha basit ve az zaman harcanması gibi özelliklerinden dolayı son yıllarda oldukça tercih edilmektedir. Bu metot bir kimyasal çözeltiden katkılama tekniğidir. Bileşik yarıiletken ince filmlerin, her bir türünün iyonlarını içeren sulu çözeltiler içerisine taban malzemenin belli bir sıra ile daldırılarak, taban malzeme üzerine çökelmesi ile oluşmasını sağlayan basit bir tekniktir. In2S3, In1-xCdxS ve CdS ince filmleri, bir yüzeyi selefon bant kaplı ve yaklaşık boyutları 0.5cmx0.5cm olan cam altlıklar üzerine, oda sıcaklığında SILAR tekniği kullanılarak büyütüldü. Filmlerin yüzey morfolojik, kristal ve elektriksel özellikleri sırasıyla Taramalı Elektron Mikroskobu, X-ışını Difraksiyonu ve iki nokta prob yöntemi kullanılarak incelendi. Elde edilen SEM görüntülerinden tüm filmlerin yüzeye homojen bir şekilde büyüdüğü tespit edildi. XRD ölçümleri neticesinde filmlerin polikristal yapıya sahip oldukları tespit edildi. Büyütülen filmlerin özdirencinin sıcaklıkla değişimi iki nokta prob yöntemi kullanılarak tayin edildi ve özdirencin artan sıcaklıkla birlikte azaldığı ve bu değişimin lineer olmadığı belirlendi. Büyütülen filmlerde termal elektromotor kuvveti ölçümleri yapıldı ve n-tipi iletkenlik tespit edildi. Optik soğurma ölçümleri yardımıyla yasak enerji aralığının sıcaklığa bağlı olarak değişimi incelendi. InxCd1-xS filmlerinin yasak enerji aralığının artan In katkısı ile arttığı görülmüştür. Tavlamanın soğurma, elektrik ve PL ölçümleri üzerine olan etkisi araştırıldı.2007, 111 sayfaAnahtar Kelimeler: In2S3, In1-xCdxS, CdS, SILAR, SEM, XRD, İnce Film