• Ana Sayfa

n-InSe ve n-InSe:Sn tek kristallerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi ve n-InSe: Sn yarıiletkeninin schottky kontak davranışı

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2006

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: SONGÜL DUMAN

Danışman: Bekir Gürbulak

Özet:

TlGaS2 üçlü yarıiletken, modifiye edilmiş Bridgman - Stockbarger kristal büyütme yöntemi ile elde edilmiştir. Büyütülen numuneler tabakalı yapıya sahip olup, çatlak ve noktasal kusuru oldukça az olan, ayna gibi parlak yüzeylere sahip olduğu gözlenmiştir. Oksitlenme ve element kaybının olması gibi etkenler göz önüne alınarak ilgili elementler tek bir ampulde ve tek bir seferde büyütülmüştür. TlGaS2 üçlü yarıiletken kristallerinin büyütme işlemi ön reaksiyonla birlikte 16 günde tamamlanmıştır. Üçlü bileşiklerin XRD spektrumları oda sıcaklığında alınmıştır. TlGaS2 yarıiletkenlerinin, en şiddetli pikinden (004) bazı kristal özellikleri hesaplanmıştır. Bu kristal özelliklerinden yansıma düzlemleri arasındaki mesafe (d), tanecik büyüklüğü (D), zorlanma derecesi (ε), dislokasyon yoğunluğu (δ), birim alan başına kristal sayısı (N) ve mikro gerinim veya mikro zorlanma (σ) değerleri bulunmuştur. Örgü parametreleri ve elektriksel iletkenliği elde edilmiştir. X-ışınları kırınımı bulguları incelendiğinde TlGaS2 yarıiletkenlerin monoklinik yapıya sahip olduğu bulunmuştur. TlGaS2 yarıiletkeninin Raman spektrumu alınmış, altı tipik titreşim tepesi bulunmuş ve Fe katkılı olan numunelerle kıyaslanmıştır.