Memristör'ün üretim parametrelerinin doğrusal olmayan davranışına etkisi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Nanobilim ve Nanomühendislik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2016

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ERKAN CENGİZ

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Tevhit KARACALI

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada 111T217 nolu Tübitak projesi kapsamında büyütülen farklı Memristör yapılarının fabrikasyon parametrelerine bağımlılığı incelenmiştir. Bu yapıların akım-gerilim ölçümleri ile literatürde önerilen doğrusal olmayan model kullanılarak MATLAB ortamında her bir Memristör için RON ve ROFF değerleri hesaplanmıştır. Bu değerlere fabrikasyon parametrelerinin etkisi araştırılmıştır