InSe ince filmlerin sılar yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2006

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: AYKUT ASTAM

Danışman: Muhammet Yıldırım

Özet:

InSe ince filmler, bir yüzeyi selefon bant kaplı ve yaklaşık boyutları 1cm x 2cm olancam altlıklar üzerine, oda sıcaklığında SILAR (Successive Ionic Layer Adsorption andReaction) tekniği kullanılarak büyütüldü. Filmlerin yüzey morfolojik, elementel veelektriksel özellikleri sırasıyla SEM (Taramalı Elektron Mikroskobu), XRD (X-ışınıDifraksiyonu) ve iki nokta prob yöntemi kullanılarak incelendi. Elde edilen SEMgörüntülerinden, filmlerin homojen olduğu ve artan film kalınlığıyla birlikte tanecikbüyüklüğünün arttığı gözlendi. XRD ölçümlerinden, InSe ince filmlerin In2Se3 ikincilfazıyla birlikte oluştuğu belirlendi. Büyütülen filmlerin özdirencinin sıcaklıkla değişimiiki nokta prob yöntemi kullanılarak tayin edildi ve özdirencin artan sıcaklıkla birlikteazaldığı ve bu değişimin lineer olmadığı belirlendi. Büyütülen filmlerde termalelektromotor kuvveti ölçümleri yapıldı ve n-tipi iletkenlik tespit edildi. Optik soğurmaölçümleri yardımıyla yasak enerji aralığının sıcaklığa ve kalınlığa bağlı olarak değişimiincelendi. Filmlerin yasak enerji aralığının sırasıyla 10K ve 320K sıcaklık değerleri için2,208 eV ve 2,08 eV değerlerini; 477 nm ve 903 nm kalınlık değerleri için ise sırasıyla2,215 eV ve 2,084 eV değerini aldığı görüldü.2006, 79 SayfaAnahtar Kelimeler: InSe, SILAR, SEM, XRDi