n-GaAs üzerinde olusturulan fecrnic schottky kapı metalli diyotların elektriksel karakterizasyonu

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2010

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: PERIHAN AKSU

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Bahattin ABAY

Özet:

Bu çalışmada, n-GaAs yarıiletkeni üzerinde ilk kez oluşturulan FeCrNiC dörtlü alaşım Schottky kapı metalli diyotlarının elektriksel karakterizasyonu yapıldı. Aynı şartlarda özdeş olarak hazırlanan 23 adet FeCrNiC/n-GaAs Schottky diyodun akım-voltaj (I-V) ve kapasite-voltaj (C-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ve karanlıkta ölçüldü. FeCrNiC/n-GaAs Schottky yapılarının idealite faktörü ( ), engel yüksekliği ( ) ve seri direnç ( ) gibi karakteristik parametreleri doğru beslem I-V karakteristiklerinden, termiyonik emisyon teorisi kullanılarak belirlendi. Elde edilen , ve değerleri sırasıyla 1.000-1.016, 0.790-0.805 eV ve 14.497-48.423 ? aralığında değişmektedir. Ayrıca, ters beslem C-V karakteristiklerinden elde edilen engel yükseklikleri de 0.848-0.925 eV aralığındadır. Aynı şartlarda hazırlanmasına rağmen, FeCrNiC/n-GaAs Schottky diyotları için elde edilen tüm parametrelerin bir diyottan diğerine değişimi, engel inhomojenliğine atfedildi. Bu yüzden, FeCrNiC/n-GaAs Schottky diyotlarının doğru beslem I-V karakteristikleri engel inhomojenliği üzerine geliştirilen Tung Modeli kullanılarak irdelendi. Gauss dağılım fonksiyonu ile fit edilen deneysel idealite faktörü ve engel yüksekliklerinin ortalama değerleri sırasıyla 1.007±0.004 ve 0.800±0.004 eV olarak elde edildi. çiziminde ve değerleri kullanılarak FeCrNiC/n-GaAs yapısı için yanal homojen engel yüksekliği eV olarak elde edildi. C-V karakteristiklerinden elde edilen ortalama engel yüksekliğinin değeri ile uyum içinde oluşu FeCrNiC/n-GaAs alaşım kontaklarının engel yüksekliklerindeki inhomojenitenin yanal dağılımlı engel yüksekliği kavramı ile tasvir edilebileceğini belirtmektedir.