InSe ve InSe:N yarıiletken kristallerinin büyütülmesi ve optik karakterizasyonu


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2002

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: MURAT SOYLU

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Bahattin ABAY

Özet:

ÖZET Y. Lisans Tezi InSe ve InSe:N YARIİLETKEN KRİSTALLERİNİN BÜYÜTÜLMESİ ve OPTİK KARAKTERİZASYONU Murat SOYLU Atatürk Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç. Dr. Bahattin ABAY InSe ve InSe:N (%0.1at.) yarıiletken kristalleri Stockbarger prensibine dayalı Yönlendirilmiş Katılaştırma Metodu ile büyütüldü. Optik karakterizasyon için, 10-340 K aralığında 10 K adımlarla sıcaklığa bağlı optik soğurma ölçümleri yapıldı. Deneysel soğurma katsayısının enerji ile değişimi, eksitonik bölgede Loranzian çizgi biçimini göz önüne alan Elliot modeli kullanılarak analiz edildi. Elde edilen uyum eğrilerinden eksitonik bağlanma enerjisi, çizgi genişliği ve eksiton parametreleri belirlendi. Sıcaklığa bağlı eksitonik rezonans ve çizgi genişliğinin analizinden bu parametrelerin sıcaklıkla değişimini kontrol eden etkin fonon frekansları elde edildi. 2002, 57 sayfa Anahtar kelimeler: III-VI yarıiletken bileşikler, InSe, kristal büyütme, optik soğurma, Elliot teorisi