Yarıyalıtkan ve n-tipi GaAs kristallerinin yakın bant kenarı bölgesinde optik soğurma olaylarının incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1999

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Tacettin Yıldırım

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Sebahattin TÜZEMEN

Özet:

Katkılanmamış ve yanyalıtkan özelliğe sahip GaAs kristali ile Te katkılanmış n-tipi GaAs kristali üzerinde bant kenarına yakın bölgedeki soğurma spektrumları 10-300 K sıcaklık bölgesinde incelendi. Bant kenarına yakın bölgede maksimum değerleri sıcaklığa bağlı olarak 1.499 eV'dan 1.485 eV'a değişen soğurma pikleri gözlendi. Bu enerji değerleri bilinen Reverse-Contrast soğurmasıyla iyi uyuşmaktadır. Bu pikler, yarıyalıtkan GaAs ve n-tipi GaAs'da 100 K'nın üzerinde kaybolmaktadır. Sıcaklığa göre (Eg- Emax ) değerlerinin ekstrapolasyonundan; yakın bant kenarı soğurma piklerinin yanyalıtkan ve n-tipi numunede 200 K civarında iletkenlik bandı ile birleştiği görüldü. Bununla birlikte, EL2 merkezlerinin ileri bir ışınlama ile foto-quench edilmesinden sonra yakın bant kenarı bölgesindeki soğurmanın da foto-quench edilebileceği gösterildi Soğurma ölçüleri ve spektral foto-akım ölçülerinin karşılaştırılması ile bu yakın bant kenarı soğurmasının herhangi bir merkez-içi soğurmaya sahip olmadığı kanaatine varıldı.