Sinterleme metodu ile elde edilen kimyasal özellikleri benzer bazı 3D ve 4D geçiş metal alaşımlarının dış manyetik alanda k tabakası X-ışını şiddet oranı ve valens elektron yoğunluğunun belirlenmesi

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2018

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: MİNE UĞURLU

Danışman: Lütfü Demir

Özet:

Bu doktora tez çalışmasının ilk aşamasında (CrxCu1-x, CrxAg1-x, MoxCu1-x, MoxAg1-x, x=0,3; 0,4; 0,5; 0,6; 0,7) mikro alaşımların çeşitli kompozisyonları, sıkıştırma basıncı 939,467 MPa ve tavlama sıcaklığı 1000°C kullanılarak sinterleme tekniği ile üretimi yapıldı. İkinci aşamada, Cr, Cu, Mo, Ag saf mikro metallerin ve üretilen alaşımların, Enerji Ayırımlı X-ışını Floresans (EDXRF) tekniği ile manyetik alan sisteminin kurulduğu deney geometrisinde bir Si(Li) yarıiletken katı hal dedektörü kullanılarak Kα ve Kβ emisyon spektrumları ölçüldü. Elde edilen emisyon spektrumlarının sonuçları ile tüm durumlar için incelenen numunelerin IKβ/IKα X-ışını şiddet oranları hesaplandı. Üçüncü aşamada, Multi-Configuration Dirac-Fock (MCDF) hesaplamaları ve sonuçları kullanılarak hesaplanan X-ışını şiddet oranları vasıtasıyla alaşımların valens elektron yapılarını belirlemek için bir program geliştirildi. Tüm durumlar için bu program kullanılarak Cr, Cu saf mikro metallerin ve üretilen alaşımların valens elektron yapıları hesaplandı. Valens elektron yapısındaki değişimler delokalizasyon ve/veya yük transfer fenomenleri açısından değerlendirildi. Alaşımların X-ışını şiddet oranları ve valens elektron yapıları üzerine manyetik alan etkisi için; hazırlanan deney geometrisinde numuneler 0, 4000, 8000 Gauss değerinde dış manyetik alan altında ölçülmüş ve elde edilen sonuçlar değerlendirilerek bu fiziksel parametrelerin ve alaşım konsantrasyonlarının ayrı ayrı önemli ölçüde etkilerinin olduğu saptanmıştır.