Sılar metodu ile büyütülen CuInS2 yarıiletken ince filmlerinde [Cu]/[In] oranının yapısal, optik ve elektriksel özellikler üzerine etkisi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2016

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: TOLGA ELEMİŞ

Danışman: Mutlu Kundakçi

Özet:

Bu yüksek lisans tezinde, CuInS2 yarıiletken ince filmleri cam alttaşlar üzerine SILAR metodu ile farklı [Cu]/[In] oranlarında büyütüldü. Filmlerin kristal yapısı ve kristal büyüklüğü X-Işını Kırınımı metodu ile belirlendi. Atomik kuvvet mikroskobu filmlerin yüzey morfolojisini belirlemek için kullanıldı. Bu filmlerin optik ve elektriksel özellikleri [Cu]/[In] oranına bağlı olarak incelendi. CuInS2 yarıiletken ince filmlerinin elektriksel özdirenci 300-470 K aralığında sıcaklığa bağlı olarak iki nokta prob metodu ile belirlendi. Artan [Cu]/[In] oranının elektriksel özdirençte büyük bir düşüşe neden olduğu gözlendi. Sonuç olarak [Cu]/[In] oranının CuInS2 yarıiletken ince filmlerin yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerini ciddi bir şekilde etkilediği gözlendi.