GaS ikili bileşiğinin modifiye brıdgman/stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yapısal analizi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2019

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ZÜHAL YANIK

Danışman: Bekir Gürbulak

Özet:

GaS ikili yarıiletkenler, modifiye edilmiş Bridgman-Stockbarger kristal büyütme yöntemi ile elde edilmiştir. Büyütülen numuneler tabakalı yapıya sahip olup, çatlak ve noktasal kusuru oldukça az olan, ayna gibi parlak yüzeylere sahip olduğu gözlenmiştir. Oksitlenme ve element kaybının olması gibi etkenler göz önüne alınarak ilgili elementler tek bir ampulde ve tek bir seferde büyütülmüştür. GaS ikili yarıiletken kristallerinin büyütme işlemi 12 günde ve ön reaksiyonla birlikte 17 gün 1 saatte tamamlanmıştır. İkili bileşiklerin XRD spektrumları oda sıcaklığında alınmıştır. GaS yarıiletkenin en şiddetli pikinden (004) bazı kristal özellikleri hesaplanmıştır. Bu kristal özelliklerinden yansıma düzlemleri arasındaki mesafe (d), tanecik büyüklüğü (D), zorlanma derecesi (ε), dislokasyon yoğunluğu (δ), birim alan başına kristal sayısı (N) ve mikro gerinim veya mikro zorlanma (σ) değerleri bulunmuştur. Örgü parametreleri hesaplanmış ve iletkenlik tipi belirlenmiştir. X-ışınları kırınımı bulguları incelendiğinde katkısız GaS yarıiletkenin hekzagonal yapıya sahip olduğu bulunmuştur. SEM ve AFM sonuçlarından, ortalama tanecik büyüklüğünün ve numunelerin homojen olduğu gözlenmiş ve EDAX tekniği ile kristallerde bulunan Ga, S ve O elementleri tespit edilmiştir. Anahtar Kelimeler: GaS Kristal Büyütme, X-Işını Kırınımı, Taramalı Elektron Mikroskobu.