Işkın bitkisinden karbon nokta yapıların yeşil sentezi ve Schottky diyot fabrikasyonu
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Nanobilim ve Nanomühendislik Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2023
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: MUHAMMED TAHA DURMUŞ
Danışman: Ebru Bozkurt
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Amaç: Bu tez çalışmasında, doğal bir materyal olan ışkın bitkisi (Rheum Ribes) ilk defa kullanılarak hidrotermal sentez yöntemi ile tek aşamada yeni karbon nokta yapılar (CDs) sentezlemek ve tamamen doğal bir materyal ile elde edilen yeni CDs kullanılarak diyot fabrikasyonu alanındaki çalışmalara katkıda bulunmak amaçlanmıştır. Yöntem: CDs, literatürde yaygın olarak tercih edilen hidrotermal sentez yöntemi ile elde edilmiştir. Elde edilen bu karbon nokta yapıların morfolojisi ve boyutları için TEM, Zetasizer cihazları kullanılmış olup, yapısal karakterizasyonları için XRD, XPS, FT-IR Spektrofotometresi, Mikro Raman Spektroskopisi cihazları kullanılmıştır. CDs'ın optiksel karakterizasyonu ise absorpsiyon ve durgun hal floresans ölçümleri ile yapılmıştır. Çalışmanın ikinci kısmında silisyum substrat üzerine CDs stoğundan yaklaşık 50 µl damlatılarak buharlaştırma yoluyla CDs ince filmi oluşturulmuştur. Son aşamada oluşturulan CDs film üzerine gölge maske tekniği ile altın buharlaştırılarak diyot yapısı elde edilmiş ve bu diyotun akım-voltaj karakteristiği incelenmiştir. Bulgular: Tamamen doğal ürün olan ışkın bitkisinden hidrotermal sentez yöntemi ile CDs tek aşamada sentezlenmiş ve bu yeni doğal ürün temelli yarıiletken materyalin elektronik alanında önemli bir yeri olan Schottky diyot fabrikasyonunda kullanılabileceği tespit edilmiştir. Sonuçlar: Işkın bitkisinden hidrotermal sentez yöntemi ile tek aşamada yeni karbon nokta yapılar (CDs) başarı ile sentezlenmiştir. Sentezlenen CDs'ın ortalama 1,5 nm boyutlarında küresel, negatif yüzey yüküne sahip ve yapısında %73,3 , %24,0 ve %2,7 oranlarında C, O ve N elementlerinin bulunduğu tespit edilmiştir. Bununla birlikte bu CDs'ın yaklaşık 394 nm'de floresans özelliğe sahip olduğu belirlenmiştir. Tüm karakterizasyonları yapılan CDs, schottky diyot tasarımında yarıiletken materyal olarak kullanılmış ve Schottky diyodun oluşumunu gösteren doğrusal olmayan bir doğrultma davranışı sergilediği gözlenmiştir.