GaSe, GaSe:Gd ve GaSe:In yarı iletkenlerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2003

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ŞULE ŞİŞMAN

Danışman: Bekir Gürbulak

Özet:

*^ 'tm* » «»» FİTİlf Anahilîm nah ^*j* '--¦*" ÖZET Yüksek Lisans Tezi GaSe, GaSe:Gd ve GaSe:In YARIİLETKENLERİNİN YASAK ENERJİ ARALIĞINA ELEKTRİK ALANIN ETKİSİ Şule ŞİŞMAN Atatürk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd. Doç. Dr. Bekir GÜRBULAK Bu çalışmada Bridgman-Stockberger metodu ile büyütülen GaSe. GaSe:Gd ve GaSe:In tek kristalleri kullanılarak 10-320 K sıcaklık aralığında soğurma ölçüleri alındı. Bu ölçümler yardımıyla soğurma katsayısı, yasak enerji aralığının sıcaklıkla değişimi, eksiton enerji seviyeleri ve bağlanma enerjileri hesap edildi. Ayrıca uygulanan dış elektrik alanın soğurma ölçüleri üzerine etkisi araştırıldı. Uygulanan dış elektrik alanla GaSe:Gd numunesinde yasak enerji aralığının değişmediği gözlendi. GaSe ve GaSedn numunelerinde ise uygulanan elektrik alanla birlikte yasak enerji aralığının daha uzun dalga boylarına kaydığı ve pik şiddetlerinin azaldığı gözlendi. Soğurma deneyleri sonucunda, yapıya katkılanan Gd'un yasak enerji aralığında bir genişlemeye, In'un ise yasak enerji aralığında bir daralmaya sebep olduğu tespit edildi. -0 2003, 79 sayfa Anahtar Kelimeler: III-VI Yarıiletken Bileşikler, Nadir Toprak Elementleri, Soğurma, Elektrik Alan, Eksiton J1V111VHUW X, l~t KJ fL,K4.L 11J.U., "