CdSe, ZnSe ve CdxZn1-xse yarıiletken ince filmlerinin sılar tekniği ile büyütülmesi, yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Tezin Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2006
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: YUNUS AKALTUN
Danışman: Muhammet Yıldırım
Özet:ÖZETDoktora TeziCdSe, ZnSe ve CdxZn1-xSe YARIİLETKEN İNCE FİLMLERİNİN SILAR TEKNİĞİİLE BÜYÜTÜLMESİ, YAPISAL, OPTİK VE ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİNİNCELENMESİYunus AkaltunAtatürk ÜniversitesiFen Edebiyat FakültesiFizik Anabilim DalıDanışman: Prof. Dr. Muhammet YıldırımCdSe yarıiletkeni ince film transistörlerde, güneş pillerinde, optoelektronik aygıt üretiminde,alan etkili transistörlerde, kızıl ötesi optikte, ışığa bağımlı direnç uygulamalarında ve gamaışığı dedektörlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. ZnSe ve karışımlarındanelektromanyetik spektrumun mavi ve yeşil bölgesinde çalışan laser elde edilmesi sonucunda,bu malzeme yarıiletken teknolojisinde geniş yasak enerji aralıklı yarıiletkenlerin önemininartmasını sağlamıştır.Büyütme metotları arasında SILAR daha ucuz, daha basit ve az zaman harcanması gibiözelliklerinden dolayı son yıllarda oldukça tercih edilmektedir. Bu metot bir kimyasalçözeltiden katkılama tekniğidir. Bileşik yarıiletken ince filmlerin, her bir türünün iyonlarınıiçeren sulu çözeltiler içerisine taban malzemenin belli bir sıra ile daldırılarak, taban malzemeüzerine çökelmesi ile oluşmasını sağlayan basit bir tekniktir.SILAR yöntemiyle büyütülen CdSe, ZnSe ve bunların karışımlanması sonucu oluşan CdxZn1-xSe ince filmlerinin, sıcaklığa bağlı soğurma, fotolüminesans, SEM, XRD, özdirenç vekalınlık ölçümleri yapılmıştır.CdxZn1-xSe ince filmlerinde Zn konsantrasyonu arttıkça yapıda düzensizliklerin azaldığı vetüm yüzeye homojen bir büyümenin gerçekleştiği SEM görüntüleri sonucunda gözlendi.Bununla birlikte, yasak enerji aralığı CdSe filmi için 1,88 eV, ZnSe filmi için ise 2,68 eVolarak bulundu. CdxZn1-xSe filmleri için yasak enerji aralığı bulunan bu değerler arasındadeğiştiği tespit edildi. XRD ölçümleri neticesinde filmlerin polikristal yapıya sahip olduklarıbulundu. Soğurma ölçümleri neticesinde, artan sıcaklıkla ve kalınlıkla yasak enerji aralığınınazaldığı gözlenmiştir. PL ölçümleri ve soğurma ölçümleri neticesinde bulunan yasak enerjiaralığı değerleri birbirleriyle uyum göstermektedir. Özdirenç ölçümleri neticesinde sıcaklıklaözdirencin azaldığı tespit edilmiş bu da bize, büyütülen filmlerin yarıiletken özelliğe sahipolduğunu göstermektedir.2006, 101 sayfaAnahtar Kelimeler: SILAR, CdSe, ZnSe, CdxZn1-xSe, Soğurma, PL, Özdirenç