SILAR Metoduyla Elde Edilen Cd/CdSe/n-GaAs/In Yapının Karakteristiklerinin Numune Sıcaklığına Bağlı Olarak İncelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2012

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Ahmet Taşer

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Mustafa SAĞLAM

Özet:

Bu çalışmada, Cd/CdSe/n-GaAs/In sandviç yapıyı elde etmek için [100] doğrultusunda büyütülmüş, 450 ?m kalınlığına ve 2,5x1017 cm-3 donor konsantrasyonuna sahip n-tipi GaAs kullanıldı. n-GaAs'ın mat yüzeyine indiyum buharlaştırılarak omik kontak yapıldı. Diğer yüzeyine ise Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) tekniği ile CdSe ince filmi büyütüldü. Önce CdSe ince filminin soğurma ölçümleri alınarak yasak enerji aralığı değeri hesaplandı. Daha sonra CdSe ince filmin yapısal özellikleri XRD ve SEM teknikleri ile incelendi. Filmin kristal yüzeyini tamamen kapladığı ve hemen hemen homojen olduğu görüldü. Yüzey özellikleri incelenen CdSe film üzerine 10-5 torr basınçta Cd buharlaştırılarak Cd/CdSe/n-GaAs/In sandviç yapısı elde edildi. Elde edilen Cd/CdSe/n-GaAs/In sandviç yapının önce oda sıcaklığında I-V ve C-V ölçümleri alındı ve daha sonra 60 K'den başlayarak 20 K'lik adımlarla 300 K'e kadar her bir sıcaklıkta I-V ölçümleri tekrar alındı. Cd/CdSe/n-GaAs/In yapını doğrultucu karakteristik gösterdiği gözlemlendi. Numune sıcaklığına bağlı olarak doğru beslem lnI-V karakteristiklerinden engel yükseklikleri, idealite faktörleri hesaplandı. Engel yüksekliğinin artan sıcaklıkla arttığı, idealite faktörünün ise azaldığı görüldü. Cheung fonksiyonları kullanılarak sıcaklığa bağlı olarak idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri hesaplandı. Seri direnç değerlerinin artan sıcaklıkla 160 K'e kadar azaldığı ve sonra hemen hemen sabitleştiği görüldü. Cd/CdSe/n-GaAs/In sandviç yapının C-V ölçümleri oda sıcaklığında 10 kHz, 50 kHz, 100 kHz, 300 kHz, 500 kHz ve 1 MHz frekanslarında alındı. Ters beslem C-2-V grafiklerinden difüzyon potansiyelleri, Fermi enerji seviyesi değerleri ve engel yükseklikleri değerleri elde edildi. Sonuç olarak, SILAR metoduyla direkt n-GaAs yarıiletkeni üzerine CdSe ince filmi büyütülerek Cd/CdSe/n-GaAs/In sandviç yapısı elde edilmiştir ve karakteristik parametreleri hesaplanarak, alternatif deve elemanı olarak kullanılabileceği görülmüştür.