Homojen olmayan FeCrNiC/p-Si Schottky yapısının sıcaklıga baglı elektriksel karakterizasyonu
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2011
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: AYSE NIDA BEŞTAŞ
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Bahattin ABAY
Özet:Bu çalışmada, ilk kez, FeCrNiC/p-Si Shottky diyodun sıcaklığa bağlı engel karakteristikleri 80-320 K sıcaklık aralığında termoiyonik emisyon teorisi temel alınarak analiz edildi. Engel yüksekliği (EY) ( ), idealite faktörü ( ) ve seri direnç ( ) parametrelerinin sıcaklığa aşırı bağımlı olduğu belirlendi. Azalan sıcaklıkla `da azalma, `de ise artış gözlendi. 180 K'nin altında lineer olmayan bir davranış sergileyen geleneksel Richarson çiziminin lineer kısmından aktivasyon enerjisi ve Richardson sabiti ( ) için sırasıyla 0.352 eV ve 8.3x10-3 AK-2cm-2 değerleri elde edildi. Diyodun sergilediği bu davranışın metal-yarıiletken ara yüzeyde var olan uzaysal EY inhomojenliğinden kaynaklandığı belirlendi. EY inhomojenliği kavramının anlaşılabilmesi için, Jiang et al. (2002) tarafından geliştirilen çoklu Gauss dağılım modeli kullanıldı. FeCrNiC/p-Si yapısının sıcaklık bağımlı EY'nin, sırasıyla 320-180 ve 180-80 K sıcaklık bölgelerinde, 0.082 ve 0.070 eV'luk standart sapmaya ( , ) sahip 0.695 ve 0.646 eV'luk ortalama EY ( ) ile temsil edilen ikili Gauss dağılım (DGD) fonksiyonu ile tanımlanabileceği gösterildi. Ayrıca, ikili Gauss dağılım fonksiyonuna göre değerlendirilen modifiye Richardson çizimlerinden yukarıda zikredilen sıcaklık bölgeleri için ve değerleri sırasıyla 0.690 eV, 33.44 AK-2cm-2 ve 0.633 eV, 29.66 AK-2cm-2 olarak elde edildi. için elde edilen bu değerlerin p-Si için bilinen AK-2cm-2 değeriyle uyumlu olduğu görüldü. Sonuç olarak, 80-320 K sıcaklık aralığında FeCrNiC/p-Si yapısı için elde edilen deneysel sonuçların, uzaysal EY inhomojenliğinin çoklu Gauss dağılım modelinin öngörüleri ile izah edilebileceği söylenebilir.