Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2000
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: MUrat GÜLNAHAR
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Hasan Efeoğlu
Özet:ÖZET Yarıiletken elektronik devre elemanları ve optoelektronik cihazları her geçen gün önemi artan bir teknoloji haline gelmiştir. Bu devre elemanlarında, taban malzeme olarak kullanılan yarıiletkenin diğer özelliklerinin yanında optik özelliklerininde bilinmesi gereklidir. Cihazların tasarımı, geliştirilmesi ve üretiminde gerekli olan temel bilgi, malzemenin temel niteliklerinin elde edilmesiyle sağlanır. GaTe kristalinin optik özellikleri, fotolüminesans tekniği ile araştırıldı. GaTe yarıiletkeni yakın kızılötesi bölgede teknolojik uygulama potansiyeline sahip olan bir bileşiktir. GaTe'nin bu özelliğinden dolayı, bu çalışma teknolojik uygulamalarda optik özellikler yönünden gerekli olan bilgiyi sağlamak amaçlandı ve yönlendirilmiş doğrudan katılaşma tekniği ile büyütülmüş GaTe kristalinin optik özellikleri fotolüminesans tekniği ile araştırıldı. Fotolüminesans ölçümleri sıcaklığa ve lazer gücüne bağlı olarak yapıldı ve bu ölçümlerden ışımalı geçiş mekanizmaları tanımlandı. Sıcaklığa, ısıl işleme ve uyarma şiddetine bağlı ölçümlerden ısıl işlemin yarıiletkenin optik özellikleri üzerindeki etkisi incelendi.