ZnO aktif tabanlı heteroeklemlerin oluşturulması ve karakterizasyonu

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2012

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Süleyman Tekmen

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Sebahattin TÜZEMEN

Özet:

Bu çalışmada ilk olarak elektrokimyasal büyütme yöntemiyle ZnO ince film farklı alttaşlar üzerine büyütülmüştür. En uygun büyütme potansiyelin bulmak için çeşitli büyütme potansiyeleri uygulandı. Büyütme potansiyelinin -0,9 V ile -1,2 V arasında geniş bir aralıkta olduğu gözlendi. Alttaş olarak n(p)-Si, p-GaAs ve n-ITO kullanıldı. XRD ölçümlerinden ZnO numunelerinin 002 tercihli yöneliminde büyüdükleri gözlendi. Ayrıca tüm numumelerde örgü sabitlerinde bir artış gözlendi. I-V karakteristikleri heteroeklemlerin diyot gibi doğrultucu davranış gösterdiği görüldü. İkinci olarak Na, Mg ve Sb katkı atomları kullanılarak p-tipi ZnO ince film elde etme çalışmaları yapıldı. Hall ölçümleri katkılı filmlerin p-tipi özellik gösterdiğini doğruladı. Elde edilen p-ZnO ince filmlerinin taşıyı yoğunluğu 1017cm-3 en düşük özdirenç değeri 0,023 ?cm ve en yüksek mobilite 2760 cm2/Vs olarak hesaplandı. Son olarak elde edilen katkılı ve katkısız ZnO aktif tabanlı heteroeklemlerin elektrolüminesans (EL) karakteristikleri incelendi. EL karakterinden 450-500nm aralığında baskın emisyon pikleri gözlendi. Katkı atomlarının EL karakteristiğine etkisi açık bir şekilde gözlendi. Katkılamaya bağlı olarak bazı emisyon piklerind azalma meydana gelirken bazılarında artış gözlendi.