Bazı oksit ve ııı-v yarıiletken mikro ve nano yapıların yüzey fiziği özelliklerinin incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Nanobilim ve Nanomühendislik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2020

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: SERKAN YILDIZ

Danışman: Sebahattin Tüzemen

Özet:

Bu tezde, katkısız ve katkılı n-WO3, p-NiO ile n-TiO2, n-GaAs (Te), n-InP ve SI-GaAs (Un), InP (Fe) yarıiletkenlerdeki cihaz özelliklerinin belirlenmesi ve yüzey olaylarını kontrol etmek amacıyla yüzey enerjileri ölçüldü. Ek olarak, n tipi ve p tipi yarıiletkenlerin yüzey enerjilerinin ve temas açılarının oksidasyon sonucu nasıl değiştiği gözlendi. n-tipi yarıiletkenlerin (WO3, NiO, TiO2, GaAs) temas açıları ve yüzey enerji oksitlenme öncesi ile sonrası arasında farklı sonuçlar gösterdi. p-tipi (InP, NiO) yarıiletkenlerde ise oksitleme öncesi ve sonrasındaki temas açıları ile yüzey enerji değerleri karşılaştırıldığında kayda değer bir değişme olmadığı görüldü. Oksit numuneler yüzey enerjisi bakımından n tipi ve p tipine göre zıt davranış gösteridi. Bunun sebebi yüzeydeki oksijen kansantrasyonunun tipe bağlı olmasıdır. InP ve GaAs gibi III-V numunelerde yüzey enerjisi sonuçları katkı tipine ve oksidasyona çok sıkı bir şekilde bağlıdır. Oksit ve III-V yarıiletkenlerde tavlama işlemi sonrasında numunelerin yüzey bölgesinde yapısal özellikler değişti. Bazı numunelerin tavlama öncesi hidrofobik özellik gösteriyorken tavlama sonrası hidrofilik özellik gösterdiği gözlemlendi. Yani yüzey pürüzlülüğü azalarak yüzeyin daha düzgün hale geldiği saptandı.