Fotovoltaik öneme sahip CuInS2/In2S3 çok tabakalı yarıiletken ince filmlerinin SILAR metoduyla büyütülmesi ve karakterizasyonu

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2012

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Münevver Ebru TEK

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Mutlu KUNDAKÇİ

Özet:

Oda sıcaklığında CuInS2/In2S3 çok tabakalı incefilmi SILAR tekniği kullanılarak büyütüldü. Büyütülen film 100 °C, 200 °C, 300 °C, 400°Cve 500° de 30 dk azot ortamında tavlandı ve tavlamanın fotoelektriksel, optik ve yapısal özellikler üzerine olan etkisi araştırıldı. Yapısal ve optik özellikler için x-ışını kırınım ve optik soğurma spektroskopisi kullanıldı. Akım voltaj (I-V) ölçümleri CuInS2/In2S3'nın fotoduyarlılık ölçümleri karanlıkta ve 15 mw/cm2 , 30 mw/cm2 ve 50 mw/cm2 ışık altında yapıldı. Ayrıca filmin elektriksel özdirenci 300- 470 K sıcaklı karalığında hesaplandı. CuInS2/In2S3 filminin fotoelektriksel, optik ve yapısal özelliklerinin tavlama sıcaklığı ile oldukça değiştiği gözlendi. CuInS2/In2S3 yüksek soğurma katsayısına ve güneş spektrumunun da en yüksek şiddete sahip olup bu 1,5eVyüksek enerji aralığı fotovoltaik dönüşüm sistemlerinde çok kullanılmaktadır. CuInS2 nin kristal kalitesini artırmak için amorf cam altlık yerine daha önce cam altlık üzerine büyütülmüş In2S3 kristal film üzerine büyütüldü ve farklı sıcaklıklarda tavlandı.