InSe ve InSe:Ag ikili bileşiklerin büyütülmesi ve yapısal analizleri

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2012

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: MEHMET ŞATA

Danışman: Bekir Gürbulak

Özet:

InSe ve InSe:Ag ikili yarıiletken bileşikleri, bölümümüz kristal büyütme laboratuvarında, modifiye edilmiş Bridgman-Stockbarger metodu ile büyütüldü. Büyütülen InSe ve InSe:Ag numunelerinin yüzeylerinde herhangi bir çatlak yoktu ve numuneler ayna parlaklığında pürüzsüz yüzeye sahipti. Numunelerin, yapısal ve morfolojik karakterizasyonları X-ışını Kırınımı (XRD), Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve Enerji Ayrımlı X-ışını Spektroskopisi (EDX) teknikleri kullanılarak gerçekleştirildi. XRD sonuçları, büyütülen numunelerin hekzagonal kristal yapıya sahip olduklarını ve Ag katkılamanın pik şiddetlerini artırdığını gösterdi. XRD sonuçları kullanılarak, örgü parametreleri InSe için a=b=4.002 Å, c=17.160 Å ve InSe:Ag için ise a=b=4.619 Å ve c=17.003 Å olarak hesaplandı. SEM sonuçlarından, ortalama tanecik büyüklüğünün sırasıyla, InSe için 40-150 nm ve InSe:Ag için 75-120 nm aralığında olduğu gözlendi. EDX sonuçları, In ve Se elementlerinin ağırlıkça %57.12 ve %38.08 olarak yapıda yer aldığını gösterdi. In ve Se miktarlarının büyütmenin hemen başlangıcında hesaplanan stokiyometrik değerlere oldukça yakın olduğu gözlendi.