Elektron radyasyonunun Au/n-Si/Au-Sb Schottky kontakların elektriksel karakteristikleri üzerine etkileri

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2009

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ERKAN UĞUREL

Danışman: Şakir Aydoğan

Özet:

Au/n-Si/Au-Sb Schottky kontaklarda 25 gray, 50 gray ve 75 gray dozdaki elektron ışınlamasının elektriksel karakteristikleri üzerindeki etkileri ortaya çıkarıldı. 4200C ve 4500C sıcaklıklarda tavlanan kontakların ışınlamadan önce ve ışınlamalardan sonra I-V (akım-gerilim), C-V (kapasite-gerilim) ve C-f (kapasite-frekans) ölçümleri alındı. Düz beslem I-V grafikleri yardımıyla kontakların idealite faktörü ve engel yüksekliği değerleri hesaplandı. Cheung fonksiyonları yardımıyla idealite faktörleri, engel yükseklikleri ve seri direnç değerleri hesaplandı. Işınlanmadan önce 4200C'de tavlanan Au/n-Si/Au-Sb diyodunun idealite faktörü 1.152, engel yüksekliği 0.772 eV, 75 gray ışınlanmadan sonra idealite faktörü 1.254 engel yüksekliği ise 0.794 eV hesaplandı. Işınlanmadan önce 4500C'de tavlanan Au/n-Si/Au-Sb diyodunun idealite faktörü 1.231, engel yüksekliği 0.742 eV, 75 gray ışınlanmadan sonra idealite faktörü 1.384 engel yüksekliği 0.761 eV olarak hesaplandı. Işınlamayla idealite faktöründe ve engel yüksekliğinde artış gözlendi. Tavlama sıcaklığının artmasıyla idealite faktöründeki artış diyotların akım iletim mekanizmasının termoiyonik emisyon teorisinden sapmasıyla açıklandı. Bu durum yapının bozulmasına atfedildi. Ters beslem C-V grafikleri yardımıyla difüzyon potansiyelleri, engel yükseklikleri, fermi enerji seviyeleri ve donor konsantrasyonları hesaplandı. Artan ışınlamayla birlikte kapasitenin ve donor konsantrasyonunun azaldığı gözlendi. Radyasyonun diyotlarda oluşturduğu kusurlar nedeniyle diyotların ideallikten saptığı gözlendi.Anahtar Kelimeler: n-Si, Schottky diyot, elektron ışınlanması