Fe katkılanmış yarı yalıtkan InP kristallerinin optik ve elektriksel bakımdan tetkiki
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 1998
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Seydi Doğan
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Sebahattin TÜZEMEN
Özet:ÖZET InP kristaline Fe katkılarının etkisini gözlemek için, tamamıyla aynı termal şartlarda büyütülen 2 inek yarıçaplı iki özdeş(InP ve lnP:Fe) wafer incelenildi. Her iki waferdan yaklaşık 3x2ımıı2 -boyutlarında 8 numune merkezden kenara doğru kesildi. IR soğuma ve PL ölçümleri hem Fe kalkılanmış hem de katkılanmamış numunelerde bütün verilerin sağlıklı bir şekilde kıyaslamasının yapılması için gerçekleştirildi. Fe katkılanmış numunelerin yasak enerji aralığında meydana getirdiği soğurma katkılanmamış numuneye kıyasla daha yüksek olduğunu gözlemledik. Absorbans verilerinden soğurma katsayısı değerleri hesaplandı. Fornari ve Kumar kalibrasyonu kullanılarak 1000nm dalga boyunda a değerleri kullanılarak numunelerdeki Fe konsantrasyonları ve a2'ye karşı foton enerjisi spektrumalarından ise aynı numunelerin yasak enerji aralıkları hesaplandı. Yasak enerji aralığındakî küçülmenin Fe katkılanması sonucu olduğu gözlendi ve yasak enerji aralığındaki daralma değerleri hesaplandı. PL sonuçları Fc yada Fe ile ilişkili kusurların Si (Semi-lnsulatiıng) InP numunelerinde non-radiative rekombinasyon merkezleri olarak davrandığını gösterdi. Fe kalkılanmış aynı numunede InP içerisinde Fe dağılmamı görüntülemek için İR soğurma haritalama tekniği kullanıldı ve waferın yaklaşık 1.5cm çapındaki bir bölümü görüntülendi. Bide edilen görüntüden Fe merkezlerinin baskın bir şekilde [011] doğrultusu boyunca uzandığı görüldü.