X-ışını radyasyonunun metal/organik/yarıiletken doğrultucu kontaklarının I-V (Akım-gerilim) karakteristikleri üzerine etkileri

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2014

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: YILMAZ ŞAHİN

Danışman: Şakir Aydoğan

Özet:

Bu çalışmada Au/Antrakinon/p-Si/Al ve Au/Piridin/p-Si/Al doğrultucu kontaklarının 50 gray ve 75 gray dozdaki X-ışını radyasyonunun I-V (Akım-Gerilim) karakteristikleri üzerindeki etkileri araştırıldı. Radyasyon ışınlamalarından önce ve sonra I-V ölçümleri alındı. Düz beslem I-V grafikleri yardımıyla kontakların idealite faktörü, engel yüksekliği değerleri hesaplandı. Cheung fonksiyonları yardımıyla idealite faktörleri, engel yükseklikleri ve seri direnç değerleri hesaplandı. Işınlanmadan önce oda sıcaklığında Au/Antrakinon/p-Si/Al diyodunun idealite faktörü 1,10, engel yüksekliği 0,75 eV, 75 gray ışınlanmadan sonra idealite faktörü 1,33, engel yüksekliği ise 0,87 eV olarak hesaplandı. Aynı metot ile oda sıcaklığında Au/Piridin/p-Si/Al diyodunun idealite faktörü 1,53, engel yüksekliği 0,72 eV, 75 gray ışınlamadan sonra idealite faktörü 1,70, engel yüksekliği 0,73 eV olarak hesaplandı. Işınlamanın etkisiyle idealite faktöründe ve engel yüksekliğinde artış gözlendi. Işınlama dozunun artmasıyla idealite faktöründeki artış diyotların akım iletim mekanizmasının termoiyonik emisyon teorisinden sapmasıyla açıklandı. Artan radyasyon dozuyla seri direnç değerinde de artış gözlendi. Seri dirençteki bu artış mobilite ve serbest taşıyıcı konsantrasyonunun azalmasına atfedildi. Yüksek dozda radyasyonun diyotlarda oluşturduğu kusurlar nedeniyle diyotların ideallikten saptığı gözlendi. Bu durum radyasyonun diyodun yapısını bozmasına atfedildi. Anahtar Kelimeler: p-Si, Schottky diyot, x ışını radyasyonu, Antrakinon, Piridin