METAL-METAL OKSİT-METAL YAPILARIN MOLEKÜLER DİNAMİK SİMÜLASYON KULLANARAK MEMRİSTİF DAVRANIŞLARININ İNCELENMESİ

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Nanobilim ve Nanomühendislik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2019

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: NILOUFAR RAJABIYOUN

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Tevhit KARACALI

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Nano boyuttaki malzemelerin makro ölçekteki davranışlarından farklılık göstermesi mühendislik uygulamalarında yeni yaklaşımlar doğmuştur. Deneysel çalışmalara destek olması nedeniyle nano ölçekte gerçekleşen olayları anlamak için klasik fizik yasalarına dayanan moleküler dinamik teknikleri kullanılmaktadır. Metal-Oksit-Metal yalıtkanların hafızalı direnç anahtarlama davranışını moleküler dinamik tekniklerle incelemek bu çalışmanın özünü oluşturmaktadır. Bu kapsamda TiO2 ve ZnO yapıları LAMMPS kullanılarak analiz edilmiştir. Ağ sabitleri ayarlandıktan sonra 8x8x6 nm boyutunda TiO2 ve ZnO yapıları oksijen boşlukları dahil edilerek oluşturulmuştur. Dışarıdan uygulanan alternatif elektrik alanı ile oksijen boşluklarının yapı içindeki hareketleri nedeniyle oluşan akım hesaplanmıştır. 5 tekrar ile histerezis davranış elde edilmiştir. Uygulanan elektrik alan döngülerinin artmasıyla, döngü altındaki alanın ve kaydedilen ortalama akım değerinin azaldığı ve direncin yükseldiği gösterilmiştir.