Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Elektrik Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2011
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Yunus BABACAN
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Hasan Efeoğlu
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Er/p-Si Schottky yapısı Erbiyumun sputter tabakalı metalizasyonu ile gerçekleştirildi. Erbiyum silisyum ara yüzeyindeki homojensizlik ısıl işlem sıcaklığına bağlı olarak incelenmiş olup engel yükseklindeki dağılımın sıcaklıkla değişimi de ilk kez bu çalışmada rapor edilmiştir. İki boyutta yapılan haritalama ölçümleri ile paralel fabrikasyonu yapılan diyotlarda gözlenen homojensizlik açıkça gösterilmiş olup erbiyumun yüksek kimyasal aktivitesinden dolayı optimum ısıl işlem sıcaklığı 2.5 dk. süre için 300oC olarak bulundu.