Al-Au/GaTe schottky yapıların sıcaklığa bağlı akım-gerilim (I-V-T) ve kapasite-gerilim (C-V-T) karakteristikleri

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2008

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Murat GÜLNAHAR

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Hasan Efeoğlu

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

ÖZETDoktora TeziAl-Au/GaTe SCHOTTKY YAPILARIN SICAKLIĞA BAĞLIAKIM-GERİLİM (I-V-T) ve KAPASİTE-GERİLİM (C-V-T) KARAKTERİSTİKLERİMurat GÜLNAHARAtatürk ÜniversitesiFen Bilimleri EnstitüsüFizik Anabilim DalıDanışman: Prof. Dr. Hasan EFEOĞLUGaTe ile güvenilir kontak yapıların elde edilmesinin amaçlandığı bu çalışmada, optimize edilmiş koşullarda Al/GaTe ve Au/GaTe Schottky kontak fabrikasyonları yapıldı. Al-Au/GaTe Schottky kontaklarının sıcaklığa bağlı akım-gerilim (I-V-T), kapasite gerilim (C-V-T) ve sabit gerilimde kapasite-sıcaklık (C-T) ölçümleri yapıldı ve bu ölçümlerin farklı metotlarla karakterizasyonu incelendi.Yapılan ölçümlerde, Al/GaTe ve Au/GaTe'ye ait oldukça lineer I-V-T değişimleri elde edildi. Seri direncin çok süratli olarak arttığı gözlenen numunelerde idealite faktörü ve engel yüksekliğinin oldukça sınırlı değişimler gösterdikleri gözlendi. Düşük sıcaklıklarda serbest taşıyıcı yoğunluğunun hızlı azalışından dolayı ikili Gauss dağılımına neden olacak biçimde idealite faktöründe artış, engel yüksekliğinde azalışı ve Richardson grafiğinin sapması, Schottky engel homojensizlikleri ve `freeze out' etkisiyle ilişkilendirildi. Homojensizlikler Gauss dağılımı ve denklemleri kullanılarak ifade edilmeye çalışıldı. İkili Gauss dağılımının bu homojensizlikleri başarıyla tasvir ettikleri görüldü. Modifiye Richardson grafiğinin yetersiz olmasından dolayı Lineerize Richardson grafiğinin güvenilir olarak Richardson sabitini verdiği görüldü. Ayrıca Schottky engelinde homojensizliklere sebep olan tünelleme akımları, görüntü-yük etkisi, ara yüzey tabakasının etkisi gibi nedenler açıklanmaya çalışıldı ve idealite faktörü ve engel yüksekliği gibi parametrelerin uygulama gerilimiyle değişimleri incelendi. Al/GaTe ve Au/GaTe'nin 1 Mhz frekansta yapılan C-V-T ve C-T ölçümlerinden derin seviyelerin ve seri direncin kapasitansa olan etkisi ve C-V engel yüksekliğinin sıcaklığa bağlı değişimi incelendi. Böylece C-V engel yüksekliği ve I-V engel yüksekliği arasında oluşan farkın sebepleri üzerinde durulduğu bu çalışmada ideal Schottky kontak yapısı oluşturulmaya çalışıldı.2008, 174 sayfaAnahtar Kelimeler: GaTe, Tabakalı kristal, Schottky, I-V ölçümleri, C-V ölçümleri, Engel yüksekliği, İdealite faktörü, Schottky engel homojensizliği, Çoklu Gauss Dağılımı, Richardson grafiği, Lineerize edilmiş Richardson grafiği, Derin seviyeler.