II-VI bileşik yarı iletken çinko oksit'te nokta kusurların elektriksel iletkenliğe etkileri
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Atatürk Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2003
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Emre Gür
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Sebahattin TÜZEMEN
Özet:Reaktif Püskürtme metodu ile Si taban malzemesi üzerine büyütülen n-tipi ve p-tipi ZnO ince filmler ortadan ikiye bölünerek dört numune elde edildi. Bu numunelerden birer tanesi vakumda tavlama işleminin etkisinin araştırılması için vakumda 750 °C'de 10"5 torr'luk basınç altında 30 dakika tavlama işlemine maruz bırakıldılar. N-tipi ZnO (as-grown) numunesi üzerinde oda sıcaklığında Hail ve özdirenç ölçümü yapıldı. Bununla birlikte n-tipi ve p-tipi (as-grown) numuneleri üzerinde spektral fotoiletkenlik ölçümleri ve bütün numuneler üzerinde zamana bağlı fotoiletkenlik ölçümleri yapıldı. İlave olarak, n-tipi (as-grown) numunesinin sabit gerilim altında (0.5V ve 0.2V) oluşan akımın zamanla değişimi incelendi. Hail ve özdirenç ölçümü sonucunda n-tipi ZnO (as-grown) numunesinin taşıyıcı yoğunluğu 8.2xl019cm"3 olarak mobilitesi ise 13.37çm2/V-s olarak belirlendi. N-tipi ve p-tipi ZnO (as- grown) numuneleri üzerinde alınan spektral fotoiletkenlik ölçümleri ile, n-tipi numunede 700nm'den başlayan ve 1 lOOnnr de son bulan geniş bir kusur bandı elde edildi. Ayrıca ZnO'da iyi bilinen mavi ve yeşil bandı olarak adlandırılan yaklaşık olarak 400 ve 500nm'de yerleşen lüminesans merkezleri gözlendi. Bununla birlikte P-tipi numunesinde bu geniş kusur bandı ve mavi yeşil kusur bantları gözlenemedi ve bunun sebebi V0 kusurunun p-tipi numunelerde çokça bulunmamasından kaynaklandığı açıklandı. Dört numunenin de 1100nm ile aydınlatılması ile zamanla fotoakımdaki değişimin miktarı yüzde olarak belirlendi ve as-grown numunelerindeki bu değişim %10-14 civarında iken, vakumda tavlanmış numunelerdeki değişimin %1-1.5 civarında olduğu gözlendi. Vakumda tavlanan numunelerdeki değişimin az olmasının sebebi V0 kusur seviyesini foto-quench olması ile açıklandı. N-tipi (as-grown) numunesinin sabit gerilim uygulanması ile oluşan akımın zamanla azalması ZnO'da V0 kusurunun negatif-U davranışı ile açıklandı. 2003, 67 sayfa Anahtar Kelimeler: ZnO, II- VI bileşik yarıiletken, Nokta kusurlar, ZnO'da elektro ve foto-quench, spektral fotoiletkenlik