Tez Dosyaları 11
GaSe:In ikili bileşiğinin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yüzey morfolojisi
n-InSe ve n-InSe:Sn tek kristallerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi ve n-InSe: Sn yarıiletkeninin schottky kontak davranışı
Bridgman/Stockbarger Tekniğiyle Büyütülen XIIIn2Se4 (XII=Mn, Fe, Ni, vb.) Üçlü Yarıiletkenlerin Yapısal Karakterizasyonu
InSe ve InSe: Mn yarı iletkenlerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi ve Schottky diyot davranışları
Fe katkılı ve katkısız TlGaS2 tek kristallerinin büyütülmesi XRD ve Raman spektrumlarının incelenmesi
InSe ve InSe:Zn yarı iletkenlerin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu
GaS ikili bileşiğinin modifiye brıdgman/stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yapısal analizi
InSe ve InSe:Ag ikili bileşiklerin büyütülmesi ve yapısal analizleri
TIGaSe2(1-x)S2x yarıiletken kristallerinin büyütülmesi ve yasak enerji aralığının sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi
GaTe ve GaTe:Cd yarı iletkenlerin büyütülmesi, yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi ve Schottky diyod uygulaması
GaSe ve GaSe:Cd yarı iletkeninin büyütülmesi,yapısal, optik ve elektriksel özeliklerinin incelenmesi
Ders Dökümanları
Fizik ve Mühendisler İçin Fizik-I
