Chracteristic parameters of CdS thin film and C-V properties of Cd/CdS/GaAs/ln sandiwich structure as a function of frequency grown by SILAR Method

Ateş A., GÜZELDİR B., SAĞLAM M., DURAK R.

World Congress on Engineering and Technology (CET), Shangai, Çin, 28 Ekim - 02 Kasım 2011, ss.17-20

  • Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Shangai
  • Basıldığı Ülke: Çin
  • Sayfa Sayıları: ss.17-20
  • Atatürk Üniversitesi Adresli: Evet