Chracteristic parameters of CdS thin film and C-V properties of Cd/CdS/GaAs/ln sandiwich structure as a function of frequency grown by SILAR Method
World Congress on Engineering and Technology (CET), Shangai, Çin, 28 Ekim - 02 Kasım 2011, ss.17-20, (Tam Metin Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
- Basıldığı Şehir: Shangai
- Basıldığı Ülke: Çin
- Sayfa Sayıları: ss.17-20
- Atatürk Üniversitesi Adresli: Evet