Determination of the laterally homogeneous barrier height of Cd/CdS/n-GaAs/In structures

GÜZELDİR B., SAĞLAM M., Ateş A.

World Congress on Engineering and Technology (CET), Shangai, Çin, 28 Ekim - 02 Kasım 2011, ss.24-28

  • Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Shangai
  • Basıldığı Ülke: Çin
  • Sayfa Sayıları: ss.24-28
  • Atatürk Üniversitesi Adresli: Evet